寬能隙功率元件應用開發者論壇特別報導
應用障礙逐步掃除 WBG元件普及大步向前(2)
寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益，但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此，如何降低設計導入的門檻，成為供應商必須面對的課題。 GaN驅動難題有解 台達實現百瓦功率密度 同樣屬於寬能隙半導體的氮化鎵功率元件，也跟碳化矽元件一樣，能協助電源開發者實現更高的電源密度。然而，氮化鎵元件的驅動與控制方式與矽元件大相逕庭，因此在高功率應用的設計開發上，有比較多技術議題需要克服。...
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